FQP3N30
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Anschlüsse, Verbindungen
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onsemi FQP3N30
| Artikelnummer: | FQP3N30 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 300V 3.2A TO220-3 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
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| Aktie: |
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-
onsemi FQP3N30 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments FQP3N30.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Vgs (Max) ±30V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 Serie QFET® Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2Ohm @ 1.6A, 10V Verlustleistung (max) 55W (Tc) Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Paket Tube Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Through Hole Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 230 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 300 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.2A (Tc) Grundproduktnummer FQP3 FQP3N30 Einzelheiten PDF [English] FQP3N30 PDF - EN.pdf -
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